Дәріс №11

Дәріс №11. Биполярлықтранзисторлар.

1. Биполярлық транзисторлардыңжұмыс істеу принципі,шартты графикалық белгіленуі.

&&&

$$$002-011-001$3.2.11.1 Биполярлық транзисторлардың жұмысістеу принципі,шартты графикалық белгіленуі

1.Биполярлықтранзисторлардың деп,екі р-n-ауысуы және үш не одан дакөп шығуы бар жартылайөткізгіштік аспапты айтамыз.Бұлжартылайөткізгіштік кристаллы бар бөлшегін құрайды,ондабіртипті электроөткізгіштік қасиеті бар екі шеткіаймақтары,қарам қарсы электроөткізгіштік қасиетібар аймағымен бөлінген.Осы үш аймақтыңэлектроөткізгіштігіне байланысты,«n-p-n» және «p-n-p»типті транзисторларды ажыратады.Олардың қосу сұлбаларыжәне шартты графикалық белгіленуі УГО,4.1 суретінде көрсетілген.«биполярлық»сөзінің терминің мағынасы:транзисторлардың жұмыс істеуінде заряд тасымалдаушылардыңтесіктер мен электрондардың рөлідері асажоғары.Транзистордың үш электродтардың атаулары:коллектор, база және эмиттер. Дұрыс қосылу кезінде, транзисторарқылы өтетін  бүкіл тоқтардың бағыты,шартты графикалық белгіленуінде көрсетілген бағытыменсәйкес болу керек. Бұл жағдайда “база-эмиттер”ауысуы,ашық диод ретінде жұмыс істейді,ал “база-коллектор” ауысуы,кері кернеуде болады,яғни жабық.

 4.1Суреті - Биполярлықтранзисторы, «n-p-n» және «p-n-p»құрылысымен

Шың транзисторларда,р-n-ауысуыларыдыңайырмашылықтары болады. Кейбіреулердіңаумағы,басқалардың аумақтарына қарағандаүлкендеу болады,одан басқа шың транзисторларда қоспаконцентрацияларында асимметрия байқалынады.Бір шеткі қабатылегироваланған болатын,соңдықтан басқақабатқа қарағанда күштірекболады.Транзистордың ортаңғы қабаты базой депаталады.Шеткі қабаты,яғни қатты лигироваланғанқабатың  эмиттер деп атаймыз,осыған орай  n - р-ауысуынэмиттердік деп атаймыз, ал аумағы  үлкендеу болатынқабатың,бірақ эмиттерге қарағанда азлигироваланған қабатың– коллектор деп атаймыз, ал ауысуын –коллекторлық деп атймыз,яғни қортындылап айтқандащың биполярлық транзисторлар – асимметриялық аспаптар болыптабылады.

 Транзистордыңәр р-n-ауысуына тура және кері кернеу берілу міүмкін.
Осыған орай, транзистордың төрт жұмыс істеу  режиміболады:

–болшектеу режимі – екі ауысуына кері кернеу беріледі;

– байыту  режимі – екіауысуына тура кернеу беріледі;

– активті  режимі –эмиттердік ауысуынатура кернеу беріледі,ал  коллекторлық ауысуына кері кернеу беріледі.

–инверстік режимі – эмиттердік ауысуына кері кернеу беріледі, ал коллекторлық ауысуына тура кернеу беріледі.

 Транзистордыңn-p-n активтік режимнің жұмысы 4.1суреттекөрсетілген.Тоқ көзі  Uбэ ,эмиттердікауысуына  тура бағытта қосылған («–»  эмиттердегітаңбасы), және  эмиттердік ауысуы арқылы тура тоғыөтеді. Сонымен қатар мұнда эмиттерден,базға электрондаринжектерланады, ал баздан эмиттерға–тесіктер инжектерланады.Транзистордың“база-эмиттер” 

ауысуы,тура бағытта қосылған диод сияқты жұмысістейді.База мен эмиттер арасында болатын кернеудін мәні Uбэ0,6÷0,8 В аспауға тиіс, өйткені,егер бұл шарторындалмаса,онда ауысуы арқылы өтетін тоғы аса жоғарымәнге өседі.

Бірақэмиттер,базаға қарағанда жоғары лигироваланғанболатындықтан, электрондардың ағыны тесіктер ағынынанкөбірке болағандықтан, транзисторда болатын процестерді олшешеді. из Эмиттердан инжектирланған  электрондары,базда негізгі емесзаряд тасушылары болып табылады,олар диффузия көмегіменқозғалады,яғни базаның көлемінде біркелкіорналасуға тырысады. Базаның қалындығы азболғандықтан ,көп  электрондар рекомбинацияланбайды,осыданколлекторлық ауысуына жетеді.

Коллекторлықауысуы жанында,электрондардың ағыны,электро өрістінәсеріне және кері ауысуына түседі,осыныңнәтижесінде коллекторлық ауысуы арқылы электрондардыңтездетілген  дрейф пайда болады.

Коллектордаэлектрондар негізгі заряд тасымалдаушылары болады және олартранзистордың ішкі тізбегінде тоқты тудырып, коллекторлықшығуына тез арада жетеді.  Коллекторлық ауысуы  арқылыэлектрондардың дрейфі,база аумағында концентрациясынтөмендейді, осының нәтижесінде эмиттер арқылы инжектерланғанэлектрондар ағынымен бағытталған диффузиянытудырады,бірақ электрондардың біраз бөлігі,базааумағында рекомбинацияланады. Сондықтан эмиттердік ауысуыарқылы өткен электрондар, коллекторлық ауысуына жетеді.Осының нәтижесінде  коллекторлық тоғы IК,эмиттер тоғына қарағанда IЭ аз болады.Базада электрондардың рекомбинациясы,базаның ішкі тізбегіндетоқ тудырады – ток базы IБ.

Эмиттердық,коллекторлық және базалық тоқтар арасында мынандайқатынасы болады:

IЭ = IК+ IБ

Эмиттердіктоғының беру коэффициенті тең болады:

α = ΔIК / ΔIЭ,

яғни бұлкоэффициенті,жаңадан шыққан транзисторлар үшін,әрқашан аз болады,бірақ бірге  жақын (0,9÷0,997) болады.

Биполярлықтранзисторларды сипаттайтың екінші физикалық  параметрі,базалық тоқтын беру коэффициенті болып табылады,онытранзистордың тоқ бойынша күшейту  коэффициенті деп атаймыз:

β = ΔIК / ΔIБ.

Біртипті транзисторларда да, күшейту  коэффициенті әр түрлі болумүмкін,яғни бұл коэффициент әр қашантұрақты болмайды,бірақ 50÷250 мшектерінде  болады.

Шың транзисторда коллекторлық  тоқтің негізіне,коллекторлықp-n-ауысуының кері тоғының негізі қосылады IКО.Соңдықтанколлектордың толық тоғы ,мына теңдеуменшығарылады:

IK = β IБ + IКО

Транзисторэлектродының тоқтары , Кирхгоф заңымен байланыстырылғанболғандықтан, онда α коэффициенті,алдында көрсетілген βкоэффициенті көмегімен онай жазылаыды:

α= β / (β+1).

Транзистордыңα жәнеβ коэффициенттерісигналдың жиілгіне тәуелді болады.Бұл тәуелділік,жартылайөткізгіштегізарятталған бөлшектердің қозғалысжылдамдығына тәуелді болады,соңдықтан транзистордаэмиттер тоғының ауысуы,база тоғының ауысуына қарағандакештеу болады

Всправочных данных транзистора всегда можно найти граничную частотуҚосымшаәдебиеттерде шекті жиілікті fгр табуғаболады,онда транзистордың күшейту коэффициент бірлік мәнгекемиді.

Жиіліктікмінездемелерге және қуатына байланысты транзисторлар бірнешетопқа классификацияланады.

 Қуатбойынша классификациялау:

– аз қуатты 0,3 Вт дейін,

– орташа қуатты  0,3   -1,5 Втдейін,

– жоғарғы қуатты  1,5 Втастам. 

Жиілігбойынша классификациялау:

– төменжиілікті  3 МГцдейін,

– ортажиілікті  3 - 30 МГц дейін,

– жоғарыжиілікті  30 - 300 МГц аралығында,

– үсті жоғарғы жиілікті 300 Мгцастам.

Транзисторлардың  қосу сұлбалар, олардыңнегізгі қасиеттері.  Транзисторлардың күшейткіш қасиеттері.

 Транзисторды  қосуды бірнеше сұлбалсыбар: ортаңғы базамен (ОБ), с ортаңғы эмиттермен (ОЭ)  және ортаңғыколлектормен (ОК).

 ОБ сұлбасында (сурет 4.5.2, а)  транзистордың шығу кернеуі,база мен эмиттерарасында болатын кернеу ,шығутоғы – эмиттертоғы болады, ал кірустатикалық мінездемелерге  –  Iэ(Uэб)отбасы, Uкб = const болғанда.

 4.2 суреті - Транзисторлардың ортаңғы базаменқосу сұлбасы(а),және оның кіру(б),шығу(в)  мінездемесі.

Бұлотбасының мінездемесі Uкб= 0 параметрімен,р-n ауысудыңқарапайым вольт-амперлік мінездемесін құрайды, олауысуы арқылы  жоғарғы тоғымен сипатталынады,яғни Uэб>0 болғанда және азтоғымен  Uэб < 0 болғанда.Эмиттердікжәне коллектолық  ауысулар байланыстылығыныңмәні,Uкб өзгеруіколлекторлықауысуында енініңөзгеруіне әкеліп соғады,яғни базаның енініңөзгеруіне әкеліп соғады ,осының нәтижесіндетоқтың өлшемі өзгереді Iэ. Егер Uкб >0 болғанда базаның ені өседі,ал  тоқ Iэ азаяды, қисықсызықтар оңға қарай жылжыйды ; егерде Uкб <0 ,онда қисық сызықтарсолға қарай жылжыйды. Мұнда транзистордың ішкітізбегінде   барлық  кіру статикалық мінездемелері бір-біріменжақын орналасады , яғни мұнда Uкб кернеунің процесстергежасайтын ықпалы аз болатындығы байқаймыз.Одан басқа,кіру статикалық мінездемелер сызықсыздық қасиетінқамтыйды,осының нәтижесінде транзистордың ішкітізбегінде сигналдардың өзгеруіне әкеліпсоғады.

Транзиторлардыңқосылу схемалары. Олардың негізгі қасиеттері.Транзисторлардың күшейткіш қасиеттері.

Транзистордықосудың үш сұлбасын айырады: жалпы базасымен (ЖБ),жалпы эмиттерімен (ЖЭ) және жалпы коллекторымен (ЖК).

   ЖБ-сыбар сұлбада транзистордың кіру кернеуі база мен эмиттерарасындағы кернеу, кіру тоқ – эмиттер тоғы, ал кірустатикалық сипаттамасы – Uкб = const кезіндегі Iэ (Uэб)жанұясы болып табылады.

Uэб >0кезіндегі өту арқылы үлкен тік тоқпен Iэ жәнеUэб <0 кезіндегі кіші қайтымды тоқпен ерекшелінетін,Uэб =0 параметрі бар осы жанұяның сипаттамасы p-nөтуінің кәдімгі вольт-амперлі сипаттамасынқұрайды. Транзистордағы эмиттерлі және коллекторлыөтулердің өзарақатынасы мынада негізделген: Uкб өзгеруіколлекторлы өту енінің өзгеруіне әкеп соғады,демек база ені де осының салдарынан Iэ тоғыныңшамасы өзгереді. Uкб >0 кезінде база ені үлкееді, Iэтоғы азаяды, ал қисықтар Iэ (Uэб)оңға жылжиды. Барлық кіру статикалық сипаттамалары бір-бірінеөте жақын орналасатынын атап кету керек. Бұлтранзистордың кіру тізбегінде ағатын процесске Uкб кернеуініңәлсіз әсер етуіне көрсетеді. Сонымен қатар, кірустатикалық сипаттамалар транзистордың кіру тізбегіндесигналдардың аса тежелуіне әкеп соғатын маңыздысызықсыздығы болады.

4.2 – сурет – транзисторды жалпыбазамен (а) қосу сұлбасы және оның кіру (б) жәнешығу (в) сипаттамалары

ЖБ-сыбар сұлбада транзистордың шығу кернеуі база мен коллекторарасындағы кернеу, шығу тоқ – коллектор тоғы, алшығу статикалық сипаттамасы -  Iэ  = const кезіндегі Iк(Uкб) жанұясы болып табылады. Шығустатикалық сипаттамалар жанұясының түрі p-n өтуініңвольт-амперлі сипаттамасынан байланысты, бірақ енді коллекторлы. Uкб>0 кезінде транзистордың шығу тоғыөзінің жартылай өткізгішті кристаллдыңэлектроөтімділігімен анықталатын және өтудегі кернеуденаз байланыста болатын, IкО коллекторлы өтудің кері тоғыболады. Uкб <0 кезінде транзистордың шығу тоғышамасы Uкб  кернеуімен тікелей байланыста болатын, ал тоқ Iкшығу кернеу кезінде тез ауысатын, коллекторлы өтудіңтік тоғы болып табылады. Микроэлектроникада биполярлы транзистордыңшығу статикалық сипаттамасын құру кезінде шығутоғының дұрыс бағыт орнына коллекторлыөтудің кері тоғын қабылдау көзделді,сондықтан шығу сипаттамалардың барлық жанұясыбірінші квадрантта орналасады.

Uэб >0кезіндегі өту арқылы үлкен тік тоқпен Iэ жәнеUэб <0 кезіндегі кіші қайтымды тоқпен ерекшелінетін,Uэб =0 параметрі бар осы жанұяның сипаттамасы p-nөтуінің кәдімгі вольт-амперлі сипаттамасынқұрайды. Транзистордағы эмиттерлі және коллекторлыөтулердің өзарақатынасы мынада негізделген: Uкб өзгеруіколлекторлы өту енінің өзгеруіне әкеп соғады,демек база ені де осының салдарынан Iэ тоғыныңшамасы өзгереді. Uкб >0 кезінде база ені үлкееді, Iэтоғы азаяды, ал қисықтар Iэ (Uэб)оңға жылжиды. Барлық кіру статикалық сипаттамаларыбір-біріне өте жақын орналасатынын атап кету керек. Бұлтранзистордың кіру тізбегінде ағатын процесске Uкб кернеуініңәлсіз әсер етуіне көрсетеді. Сонымен қатар, кірустатикалық сипаттамалар транзистордың кіру тізбегіндесигналдардың аса тежелуіне әкеп соғатын маңыздысызықсыздығы болады.

ЖБ-сыбар сұлбада транзистордың шығу кернеуі база мен коллекторарасындағы кернеу, шығу тоқ – коллектор тоғы, алшығу статикалық сипаттамасы -  Iэ  = const кезіндегі Iк(Uкб) жанұясы болып табылады. Шығустатикалық сипаттамалар жанұясының түрі p-nөтуінің вольт-амперлі сипаттамасынан байланысты, бірақ ендіколлекторлы. Uкб >0 кезінде транзистордың шығутоғы өзінің жартылай өткізгішті кристаллдыңэлектроөтімділігімен анықталатын және өтудегі кернеуденаз байланыста болатын, IкО коллекторлы өтудің керітоғы болады. Uкб <0 кезінде транзистордың шығутоғы шамасы Uкб  кернеуімен тікелей байланыста болатын, алтоқ Iк шығу кернеу кезінде тез ауысатын, коллекторлыөтудің тік тоғы болып табылады. Электроникада биполярлытранзистордың шығу статикалық сипаттамасын құрукезінде шығу тоғының дұрыс бағыт орнынаколлекторлы өтудің кері тоғын қабылдау көзделді,сондықтан шығу сипаттамалардың барлық жанұясыбірінші квадрантта орналасады. Kiб = Iвых б / Iвх б = Iк / Iэ = αIэ / Iэ =  α < 1.

Демек, ЖБ-сы барсұлба тоқ бойынша күшейтілуі болмайды.

.

Rн / Rэбқатынасы кіру кедергісінен үлкен болғандықтан, ЖБ-сыбар сұлба кіру кернеуін күшейте алады.

Қуат бойыншакүшейту коэффициентін қуаттар қатынасы деп анықтаймыз

.

Сонымен қатар,алынған өрнектен ЖБ-сы бар сұлба қуат бойынша кейбіркүшейтуге ие болатыны анық, себебі  Rн / Rэб>α². Тоқ күшейткішінің жоқтығы, қуат болйыншааз күшейту коэффициенті және де үлкен емес кіру кедергісі осысұлбаның қолдануын шектейді. Кішкентай кіру кедергісікаскадты қосылуды орындауға мүмкіндік бермейді, себебі келесікаскадтың кішкентай кіру кедергісі алдыңғы каскадтыңшығуына шунтталған іс-әрекет көрсетеді. Осыныңсалдарынан, барлық күшейткіштің күшеюітөмендейді.

   ЖБ-сы барсұлбада транзистордың кіру кернеуі база мен эмиттерарасындағы кернеуі, кіру тоқ – база тоғы, ал кірустатикалық сипаттамалары – Uкэ = const кезіндегі Iб (Uбэ)жанұясы болып табылады. Бұл сипаттамалар ЖБ-сы барсұлбадағы кіру сипаттамаларына өте ұқсас,бірақ, біріншіден, база тоғы эмиттер тоғынан h21есе шамасында кем, сондықтан 5.3, б суретте ордината осі бойынша масштабы4.2, б суреттегі масштабтан h21 есе шамасында артық.Екіншіден, кернеуді (Uкэ) үлкейткенде ток Iб азаяды.

ЖБ-сыбар сұлбада шығу кернеуі эмиттер мен коллектор арасындағыкернеу, кіру тоқ – коллектор тоғы, ал шығу статикалықсипаттамалар – Iб  = const кезіндегі Iк (Uкэ)жанұясы болып табылады. Бұл шығу сипаттамалары ЖБ-сы барсұлба бойынша қосылған сол транзистордың шығусипаттамаларынан ерекшелінеді. Ерекшеліктері шығу кернеуі Uкэ транзистордыңбіруақытта екі өтуіне қосылғанында жәнетранзистор режимі Uкэ  және Uбэ арасындағықатынасы салдарынан өзгеруінде негізделген. Осы кернеулердің(«оң» коллекторда және базада) Uкэ < Uбэ жәнебірдей қарама-қарсылық кезінде транзисторшылыққан режимде болады, себебі эмиттерлі де, коллекторлы даөтулерде түзу кернеу болады. Uкэ  үлкейту кезіндеколлекторлы өтуде кернеу алғашында нөлге тең (Uкэ = Uбэ), ал сосын (Uкэ  > Uбэ кезінде)кері болады. Осында транзистор белсенді режимге көшеді.

4.3-сурет - транзисторды жалпыэмиттермен (а) қосу сұлбасы және оның кіру (б)және шығу (в) сипаттамалары

Шылыққанрежимде транзистордың шығу тоғы коллекторлыөтудің тура тоғы болып табылады және оның шамасыколлекторлы өтудегі кернеумен тік байланыста болады, демек, ол Uкэ  тәуелді.Белсенді режимде транзистордың шығу тоғы, әдеттеэмиттерден алынған электрондардың инжекциясымен себептелген токпенанықталады, ал шығу статикалық сипаттамалардыңжанұясында жазық участок байқала бастайды. 5.3, в суретіндекелтірілген сипаттамалар жанұясына қарағанда,транзистордың шығу сипаттамаларының жазық участоктарыЖЭ-сы бар сұлбада үлкен иілуге ие болады. Бұл ЖЭ-сы барсұлба бойынша қосылған транзистордың шығустатикалық сипаттамаларын алу барысында Iб  = const шартынорындау үшін Uкэ  және Uбэ арасындағықатынасын өзгерту керектігімен байланысты.

   Берілгенсұлбада кіру тоқ Iвх э= Iб = Iэ(1-α)базалық тоқ болады, ал шығу Iвых э= Iк =αIэ  коллекторлы.

Кіру кедергісі жалпыбазасы бар сұлбадағыға қарағанда екі реткеүлкен, себебі

.

Кіру кедергісінүлкейту әр каскады ЖЭ-сы бар сұлба бойынша жиналған,көпкаскадты күшейткішті жинауға мүмкіндік береді.

ЖЭ-сы барсұлба тоқ күшейткішіне ие

.

ЖЭ-сыбар сұлбада кернеуді күшейту коэффициенті, ЖБ-сы бар сұлбадағыдай:

.

Бірақ, жалпыэмиттері бар сұлба күшейтуден басқа шығукернеудің фазасын 180⁰ өзгертеді. ЖЭ-сы бар сұлбатоқ бойынша және кернеу бойынша күшейткішке иеболғандықтан, ол аса үлкен қуатты күшейтукоэффициентіне ие:

.

Осыдан, бұлсұлба аса үлкен практикалық қолдануды алды.

Жалпы коллекторы барсұлба 5.4-суретте келтірілген. Бұл схемада кіру тоқ базатоғы болғандықтан, ал эмиттер тоғы коллектортоғынан аз айыралатындықтан, практикада бұл схема үшінжалпы эмиттері бар сұлба үшін алынған сипаттамаларқолданылады.

Жалпы эмиеттері барсұлбадағыдай, бұл схемада кіру тоқ база тоғыболып табылады

Iвх вк = Iб = Iэ(1 - α).

4.4-сурет – жалпы коллекторы барқосылу сұлбасы

Шығутоқ Iвых к = Iэ  эмиттер тоғы болып табылады.Жалпы коллекторы бар сұлба тоқ бойынша аса үлкенкүшейтуге ие: 

.

Жалпы коллекторы барсұлбаның кіру кедергісі жоғарыда қарастырылғансұлбалардың кедергілерінен аса жоғары:

.

ЖК-сыбар сұлбада кернеу күшейткіші жоқ, себебі:

.

Rн >>Rвх б, болғадықтан, К≈1 деп санауға болады.ЖК-сы бар сұлбаны эмиттерлі қайталаушы деп атайды, себебіжүктеу эмиттердің тізбегіне қосылған. Кернеудіңкүшейту коэффициенті бірге тең және шығу кернеуі фазабойынша кірумен беттеседі.

   Эмиттерліқайталаушыны жеке каскад арасындағы немесе күшейтудіңшығысы және оның жүктеуі арасындағыкедергілердің келісілген каскады ретінде кең қолданады. жалпыколлекторы бар сұлбада қуат күшейтуінің коэффициентітоқ күшейту коэффициентіне тең:

.

Қарастырғанымыздан,кез келген сұлбалар қосылуының қуат күшейткішібар. Бұл транзистордың белсенді ққұрал екеніннақтылайды.

   Қазіргіуақытта биполярлы транзисторлар күшейткішті,қайтажанғышты функциясын сәтті шешу көмегі баркөп таралған жартылайөткізгішті құрал болыптабылады.

Биполярлы транзисторлардыңһ-параметрлері

Берілген кернеудентранзистордың кіру және шығу тоқтарыныңбайланысын сәйкесінше транзистордың кіру және шығусипаттамалары деп атайды. Биполярлы транзистордың кіру жәнешығу сипаттамаларының жанұяларында бірнеше сұлбаларанализі кезінде артық болатын нақты ақпарат бар. Аз сигналаджұмыс істейтін транзисторды сұлбаның элементі ретіндеқарастырғанда, оны сұлбасы 4.5-суретте көретілгентөртполюст түрінде қарастырған жеңіл.Төртполюстінің кернеуі мен тоғы өзара теңдеужүйесімен байланысқан.

Осы теңдеулеркоэффициенттері транзистордың қасиетін бейнелейді және оның параметрлері болып табылады.

4.5-сурет – төртполюстүрінде көретілген транзистордың сұлбасы

Биполярлытранзисторды аса ыңғайлы бейнелейтін тәуелсіз айнымалыларретінде кіру тоғы және шығу кернеуі таңдалғанһ-параметр жүйесі болып табылады:

U1= h11 I1 + h12 U2

I1= h21 I1 + h22 U2 ,

мұнда һ11        - кірукедергіні сипаттайтын, кедергінің шамасы бар параметр және кірудекернеу өзгеруінің транзистор шығуында айнымалы тоқбойынша қысқа тұйықталу режиміндегі оныңөзгеруіне әкеліп соқтырған кіру тоғынақатынасын көрсетеді. Һ11 мәнішығудағы айнымалы тоқ бойынша қысқатұйықталу режиміндегі транзистордың кіру сипаттамасыныңеңкішімен анықталады;

   һ12 – шығу және кіру тізбектер арасындағы ішкі кері байланыстысипаттайтын өлшемсіз параметр және кіруде кернеуөзгеруінің  айнымалы тоқ бойынша кіру тізбегінде босжүріс режиміндегі оның өзгеруіне әкеліпсоқтырған шығудағы кернеу қатынасынкөрсетеді;

   һ21  -шығу және кіру тізбектер арасындағы тоқ бойынша турабайланысты сипаттайтын өлшемсіз параметр және шығу тоқөзгеруінің айнымалы тоқ бойынша шығу тізбегініңқысқаша тұйықталу режимінде оның өзгеруінеәкеліп соқтырған кірудегі тоқ  қатынасынкөрсетеді. һ21  параметрі транзистордыңмаңызды параметрлерінің бірі болып табылады.

   һ22 –шығу өтімділігін сипаттайтын өтімділік шамасы бар параметржәне шығу тоқ өзгеруінің айнымалы тоқбойынша кіру тізбегінің қысқаша тұйықталурежимінде оның өзгеруіне әкеліп соқтырғаншығудағы кернеу  қатынасын көрсетеді. Һ22транзистордың кіру сипаттамасының еңкішімен анықталады.

   Һ-параметрлерініңнақты мәндері транзисторды қосудың әртүрлісұлбаларына әралуан, сондықтан ЖБ және ЖЭ-сы барсұлбаларда сәйкесінше «б» немесе «э» индекстерін қосады.Биполярлы транзисторды қосу сұлбаларының аса таралғантүрі – ЖЭ-сы бар сұлба.

   Һ-параметрлербиполярлы транзистордың анализ үшін ыңғайлы болатынэквивалентті сұлбаларды құруға мүмкіндік береді.

   Биполярлытранзистордың қасиетін анықтайтын негізгі сипаттамалароның статикалық сипаттамалары болып табылады. Бірақ,бұл сипаттамаларды қарастырмастан, келесіні байқауқажет:

1)                      Транзисторда ағатын прцесстероның кіру тоқтарымен анықталады. Бұл тоқты табуүшін Iвх (Uвх) қатынасын білу керек. Себебітранзистордың кіру тоғы тек қана кіру емес, шығукернеуіне байланысты. Транзистордың толық сипаттамасы үшінекі статикалық сипаттаманың жанұясы болуы керек: кіру жәнешығу.

2)                      Транзистордың статикалықсипаттамасының түрі оның қосылу сұлбасынабайланысты. Демек, кез келген қосылу сұлбасы кезінде транзистордафизикалық процестер өзгермейді, бірақ кіру жәнешығу шамалары елеулі өзгереді.

&&&

Өзін-өзітексеру сұрақтары

1.Биполрлықтранзистордың шартты белгіленуі

2.Биполярлықтранзистордың ВАС

3.Биполярлықтранзистордың өрістік транзистордан айырмашылығы