Дәріс №12. Өрістіктранзисторлар
1. Өрістік транзисторлар, түр өзгешілігі жәнеқұрылғысы
&&&
$$$002-012-001$3.2.12.1 Өрістік транзисторлар, түрөзгешілігі және құрылғысы
1.Өрістік транзисторлар, түрөзгешілігі және құрылғысы
Өрістіктранзистор – бұл күшейткіш құрамы негізгітасушының ағынымен көрсетілген, өткізгіш арнаарқылы өтетін және электр өріспен басқарылатынжартылай өткізгіш аспап. Өрістік транзистордың жұмысыбір типті ғана тасушыларды қолдануға негізделген – негізгі,сондықтан оларды униполярлы деп атайды.
Арнағазаряд тасушылар кіргізетін электрод кіріс (К) деп аталады; арнадан зарядтасушыларды шығаратын электродты шығыс деп атайды; арнаныңкөлденең қимасын реттеуге арналған электрод, -қақпа (Қ).
Электрлікөріс арқылы жартылай өткізгіштегі тоқты басқаруүшін жартылай өткізгіш қабатының өткізу ауданыннемесе оның меншікті өткізгішін ауыстыру қажет. Өрістіктранзисторларда екі әдісі қолданылады және сәйкесіншеекі түрге айырады: басқарушымен р-n - өткізгіштітранзистор және жекеленген қақпасымен транзистор.
Басқарушыменр-n - өткізгішті өрістік транзистор – бұлқақпасы р-n - өткізгіш арнадан электрліқатынаста бөлінген кері бағытта араласқанөткізгіш транзистор.
Басқарушыменр-n - өткізгішті өрістік транзистор негізгі элементтері (сурет5.1,а) n- типті жартылай өткізгішті пластина (1), р- типтіжартылай өткізгішті екі жақтан қойылған қабат (2)болып табылады. n-типті жартылай өткізгішті пластинаныңкесігінде және р- типтің екі аумағында омдықбайланыс жалғанған металлды пленка қойылған, ал р- типтіекі қабат өзара байланысқан. р- типті екіқабатпен құрастырылған электрод қақпа (5)деп аталады. Содан электрондар қозғалатын n-типті жартылайөткізгішпен қосылатын электродтардың біреуі кіріс (3) депаталады, ал электрондар соған қарай қозғалатынэлектродтар – шығыс (4). Әр түрлі типті электрөткізгіштермен жартылай өткізгіштер арасында екі электронды-тесіктіөткізгіш пайда болады. Екі р-n - өткізгіштер арасындаорналасқан n- типті жұқа қабатты жартылайөткізгіш өткізгіш арна деп аталады.
Кіріскетеріс (n-арна үшін), ал шығысқа оң кернеудіқосқанда (сурет 6.1,а) кірістен шығысқаэлектрондардың қозғалысымен құрылатын, яғнизарядтың негізгі тасушыларымен арнада электр тоғы пайда болады.Электронды-тесікті бойлай өтетін (ал биполярлық транзисторлардасияқты өтетін аралықтардан емес) заряд тасымалдаушыныңқозғалысы өрістік транзистордың өзіндікерекшелігінің біреуі болып табылады. Арна мен қақпа арасындақұрылатын электрлік өріс арнада заряд тасымалдаушыныңтығыздығын, яғни ағынды тоқтың шамасын өзгертеді.
Сурет 5.1 – Басқарушымен р-n - өткізгішті өрістіктранзистордың құрылымы және шартты белгіленулері
Басқарушыменр-n - өткізгішті өрістік транзистордың биполярлытранзисторлар алдындағы негізгі артықшылығыжоғарғы кіру кедергісі, аз шу, дайындау оңайлығы, ашықтранзистордың кіріс және шығыс арасындағықалдық кернеуінің ашық қалпында жоқ болуыболып табылады.
Жекелегенқақпасымен өрістік транзистор – бұл қақпасыарнадан диэлектрик қабатымен электрлік қатынаста бөлінгенөрістік транзистор.
Жекеленгенқақпасымен өрістік транзистор электрөткізгіштіктің қарама-қарсы типімен екі аумағықұрылған жартылай өткізгіштің біршамаүлкен меншікті кедергісімен пластинадан тұрады (сурет 5.2).Бұл аумақтарға металдық электродтар – кіріс жәнешығыс қойылған. Кіріс және шығыс арасындағыөткізгіштің беті диэлектриктің жұқақабатымен жабылған, әдетте кремний оксидініңқабатымен (SiO2). Диэлектрик қабатына металдықэлектрод – қақпа қойылған. Сонда металдан,диэлектриктен, жартылай өткізгіштен тұратын құрылымдыаламыз. Сондықтан жекеленген қақпасымен өрістіктранзисторларды жиі МДЖ-транзисторлар (металл-диэлектрик-жартылайөткізгіш) немесе МОЖ-транзисторлар (металл-оксид- жартылай өткізгіш)деп атайды.
МДЖ-транзисторлар
МДЖ-транзисторларыныңекі түрі бар: индуцировалы және орнатылған арналармен.
n-арнаменр-типті жартылай өткізгіш негізінде орындалғанМДЖ-транзисторының құрылымы сурет 5.2-де көрсетілген.МДЖ-транзисторының жұмысы өріс әсеріне, яғнижартылай өткізгіштің үстіңгі аумағыныңөткізгіштігін үстіңгі потенциал арқылы өзгертумүмкіншілігіне негізделген. Тоқ өтетін өткізуқабат арна деп аталады. Мұндан транзисторлар тобыныңтағы бір атауы – арналық транзисторлар. Жартылайөткізгіштің көлемінің және жекеленген электродтрадың(қақпамен) арасында потенциалдар айырымын жасағанда жартылайөткізгіштің бетінде жартылай өткізгіштіңқалған көлемінде концентрациядан өзгешеленетін, -қақпада кернеуді өзгертіп, кедергісімен басқаруғаболатын арнасы бар заряд тасушылар концентрациясымен қабат пайда болады.
Өрісәсерін туғызатын металдық электродты қақпа (3)деп атайды. Қалған екі электродты кіріс (К) және шығыс(Ш) деп атайды. Негізінде бұл электродтар қайырылады. Кіріс –бұл өткізгіш арна арқылы заряд тасушылар қосылатынэлектрод. Шығыс – бұл заряд тасушылар шығаратын электрод.Қақпа – электр сигнал берілетін электрод. Оны өткізгіш арнадакірістен шығысқа өтетін тоқ өлшемін басқаруүшін қолданады. Егер арна n-типті болса, онда жұмыстықтасушылары – электрондар және шығыс қарама-қарсылығыоң. Кірісті әдетте подложка деп атайтын жартылай өткізгішнегізімен қосады (ІІ). Өрістік транзисторлардыңсхематикалық белгіленуі сурет 5.3-те көрсетілген.
Сурет 5.2 – n-арнасымен МДЖ-транзисторыныңқұрылымы
Сурет 5.3 – МДЖ транзисторларыныңшартты белгіленуі
Өрістік транзисторлардың негізгіқұрамы және тағайындалуы
Басқарушыр-n-өткізгішті өрістік транзистордың жұмысынегізінде өткізу арнасының көлденеңқиманың ауданын өзгерту ойы жатыр. р-n-өткізгіштекерену нольге тең болғанда, өткізу арнасыныңкөлденең қимасының ауданы максималды, ал кіріс пеншығыс арасындағы электрлік кедергі минималды. Егерқақпаға сыртқы кернеуді Uзи сондайполярлықпен екі өткізгіш те кері кернеуде араласқан болуүшін қандай да өткізгіш арнаның көлденеңқимасының ауданын азайтады, онда өткізу арнасындақосылған қабат (жекелік қабаты) пайда болады. Бұларанда электрлік кернеудің өсуіне әкеп соғады, демек,транзистордың кірісі мен шығысының өсуіне. Uзикернеуін өзгерткенде өткізгіш арнаның электрлік кедергісінреттеуге болады.
Егеркіріс пен шығыс арасындағы сыртқы кернеуді Uси(кірісіне «минуспен») жеткізсек, онда потенциалдар айырымыныңықпалымен n-типті жартылай өткізгішті пластинадаэлектрондардың шығыс тоғын Ic тудырыпкернеу Uзи де, сондай-ақ Ucи дебасқаруға болатын кірістен шығысқа бір орындақалқып тұруы басталады. Ucи кернеу барболғанда аранлар потенциалы шығыс және кіріс соңдарындаәр түрлі болады. p-n өткізгіште кернеу кіріссоңында |Uзи|-ге, ал шығыста - |Uзи|+|Ucи|-ға тең, сондықтан шығыссоңындағы біріктіру аумағы кірістікінен кеңірек болады(сурет 6.1). Кейбір кері кернеулер үшін Uзи екі p-n-өткізгіштіқабатты беттестіруге болады, арнасының көлденеңқимасының ауданы нольге тең болады, арнаның кедергісі –шексіздікке тең болады, ал тоқ Icи – нольгетең (транзистор жабылады).
Солкезде транзистор жабылатын қақпа мен кіріс арасындағыкернеуді бөлік кернеуі Uзи отс деп атайды.
Егерқақпаға кері кернеу Uзи< 0 берсек, онданегізгі емес заряд тасушылар электрондар қақпағақойылған аумақтан ығыстырылған болады жәнеқақпаның астына қойылған аумақ тесіктерменқамтамасыз етілетін болады; бірақ жағдай қаттыөзгермейді: екі кезедескен қосылыс р-n- өткізгіштерқалады, тоқ Iси = 0. Егер деқақпаға оң ығысу Uзи> 0 ығысуберсек, онда басында қосылған қабат пайда болады (негізгі тасымалдаушытесіктер қақпа асты аумағынан шығарылады жәненегізгі емес заряд тасымалдаушылар электрондар тартылады). Кернеу өскенкезде қақпада негізгі емес тасушыладың электрондардыңконцентрациясы өте тез өсе батайды, ал тесіктердіңконцентрациясы азаяды және Uзи > Uпоранықталған жағдайда электрондыға тесікпенэлектрөткізгіш типінің өзгеруі пайда болады (өткізутипінің инверсиясы пайда болады) – электрондардың инверсиялықабаты пайда болады, яғни кіріс пен шығыс аумағынқосатын n-типті өткізгіштік өткізу арнасы.Мұндай арна индуцированный деп аталады. Қақпаныңпотенциалы өзгергенде аранда оның өткізгіштігінөзгертіп қозғалмалы заряд тасымалдаушылардың санымодульденеді, ал егер Uси келтірілсе, тізбектегі тоқкіру – шығуына қатысты. Шығыс Iс тоқшығыс Uси және қақпа Uзипотенциалына тәуелді. Бұл МДЖ – транзисторларының жұмыстәртібі болады. Кіру тоғы (қақпа тізбегіндегітоқ) өте кішентай (бұл тоқ диэлектр арқылы )болғандықтан, ал шығу тоғы маңызды болады, сондақуат күшеюі де маңызды, биполярлық транзисторларғаәлдеқайда үлкен, мұндай транзистордың кірукедергісі 1010 ÷ 1014Ом бола алады.
Теңсалмақтыкүйде тұрмайтын және сыртқы кернеудіңәсерінен пайда болатын өткізгіш арна индуцировалданған депаталады. Индуцировалданған арнаның қалыңдығымүлдем өзгермей деугу болады (1-5 нм), сондықтан оныңөткізгіштігінің модуляциясы концентрация тасушылардыңөзгерісімен көрсетілген.
Өткізгішарна пайда болатын қақпадағы кернеу табалдырықты кернеудеп аталады және Uпордеп белгіленеді. Егер n-типтіподложканы таңдасақ, ал шығу және кіру аумақтарынр-типті қылсақ, онда индуцировалданған р-арнаменМДЖ-транзистор пайда болады. Табалдырықты және жұмыскернеудің кері полярлық сыйпаттамасы үшін: Uпор<0,Uзи<0, Uси <0. Табалдырықтыкернеудің мәндері Uпор=0,5÷3,5 В шектердежатады деуге болады.
Транзисторлардыңn және р-арналарымен үлестіруі қолданылатынэлектрлі сұлбаларды биполярлы транзисторлармен жағдайдағыдайкомплементарлы сұлбалар деп атайды.
Арнаныңпайда болуын жеңілдету үшін және кіріс және шығысөткізгіштің жару кернеуін үлкейту үшінМДЖ-транзисторының табалдырығын үлкен менішікті кедергіменматериалдан жасауға тырысады.
НегізіндеМДЖ-транзисторларының n және р-аранларыменжұмыс механизмдері және қасиеттері бірдей. Бірақ кейбірайырмашылықтар бар. Біріншіден, n-арналы транзисторлар тезірекжұмыс істейді, себебі олардың жұмыс тасушыларының –электрондарының қозғалысы тесіктерге қарағандашамамен үш есе жоғары. Екіншіден, n және р-араналытранзисторларда тепе-теңдік күйінде үстіңгіқабатының құрамы әр түрлі болады жәнебұл табалдырықты кернеудің өлшемінде көрсетіледі.
Кездескенарналарымен МДЖ – транзисторларында өткізгіш арнаны электрлік өрісарқылы емес, технологиялық жолмен жасайды. Бұл жағдайдабіз, сондай-ақ артығырақ кең мәндер инитервалындаUзи қақпадағы кернеумен бұларнаның өткізгіштігімен басқарамыз, сондықтанмұндай арна қақпадағы нольдік кернеуде деқолданылады. Ішіне жасалған арнамен МДЖ–транзисторлары үшінтабалдырықты кернеудің орнына бөлшек кернеуінің шамасыненгізеді.
Бөлшеккернеуі – бұл ішіне жасалған өткізгіш арнажоғалғандағы және тізбектегі кіріс-шығыстоқ нольге ұмтылғандағы қақпадағыкернеу. Ішіне жасалған арнасымен транзисторларқақпадағы екі полярлықта да жұмыс істейді: терісполярлықта арна тасымалдаушылармен кемиді (n-арналы транзисторүшін) және шығыс тоқ азаяды, оң полярлықтаарна электрондармен көбееді (n-арналы транзистор үшін)және тоқ өседі. р-арналы транзисторлар үшінполярлықтар қарама-қарсы. Ішіне жасалған арнаныәдетте иондық легирлеу арқылы жұқаүстіңгі қабат түрінде істейді.
Негізгіжартылай өткізгішті пластиналар ретінде барлық өрістіктранзисторларда n-типті және p-типті жартылай өткізгіште пайдаланумүмкін. Өрістік транзисторлар түр өзгешелігі алтытүрі болуы мүмкін. Сондықтан n- және p- типтіөрістік транзисторларды ажыратады. Өрістік транзисторлардытоптық шығу статикалық сипатамасы ең жеткіліктіжұмысын суреттейді (5.2 сурет), өрістік транзисторлардыңбарлық типтеріне бірдей пайдалы.
Сурет 5.4 –Тразиторлардың статикалық ВАС:
р-n-өтуі өрістік басқаруымен (а)МДЖ индуцияланганымен (б) және ішіне жасалған (в) арнамен
Егеркернеу Uси=0, онда жартылай өткізгіштіңүсті эквипотенцияльды, өрісте диэлектрик біркелікті жәнеқұрылған арнаның қалыңдығыбарлық аралықта бірдей болады. Кернеудің аз ғанамәнінде шығыс тізбектегі ток сызықты жоғарлайды (тікаймақты тәуелділік). Әрі қарай жоғарлауыондағы кернеу есепке алу керек, потенциал үсті крістеншығысқа қарай жоғарлайды. Демек, потенциалдарайырмашылығы қақпа мен үстінгі шығыстыңбағыты кемиді. Сәйкесінше диэлектрдегі өрістіңқауыртылығы және арнадағы электрондар меншікті зарядыкемиді. Сондықтан арнаның қимасы жақынаймақтағы шығысы қысылады, яғни инверсиондықабат немесе арна жоғалайын деп және шығыс тогытұрақты шамаға ұмтылады, кернеуден шығысқатәуелді емес.
Шығыстакритикалық кернеу кезінде, негізінде кернеуді қаныққандеп айтады, потенциалдың айырмашылығы қақпа меншығыстың үстінгі аймағы нөлге тең болады.Бір уақытта диэлектрикте өріс қауыртылықғыжәне арнадағы меншікті заряд тасушы сол нүктеде нөлгетең болады. Басқаша айтқанда арнаның мойынықұрылады.
Қаныққанкернеудің түрі:
Uси нас=Uзи-Uпор
Uси>Uнаскернеу кезінде арнаның қысқаруы болады; ал потенциал “мойыны” шығысаймағында Uнас мәні сақталады, басындаайтқандай қаннықан. Арнаның мойынықұрылғаннан кейін жұмыс тізбегінде ток кернеуденбайланыспай қалады, ал шығыста токтың қанығуыбасталады (осыдан кернеу атауы Uнас), яғниқаныққан кернеу дегеніміз бұл кернеу шығыс пенкірістің арасындағы сондай-ақ тізбктегі шығыс тогыөзгертілуі пайда болады (қанығады).
Арықарай шығыс-кіріс кернеудің жоғарлауы транзистораралығындағы байланыс тогы күрт өседі.
МДЖ-транзистордыңәр түрлі типтегі шығу сипаттамасының ерекшелігі Uзи= 0ыңғайлы сипаттамасымен бекітіледі. МДЖ-транзистордабұл сипаттама арнаның ішінде топ ортасында болады. Оныңжоғарғы сипаттамасында үйлесімді басып озу тәртібі жүреді,ал төменде - қосу тәртібі.
Келтірілгенжоғарғы сипаттама МДЖ - оларды подложкалар (П) шығыспенбайланысқан кезде, транзисторлар әділетті мынадайжағдайда.Подложкаларды транзистордын өткізгіш арнасында токпенбасқаратын кернеуден, қосымша электрод ретіндеқолдануға болады. Бұл жағдайда подложканы астынғықақпа деп атайды. Арнаның механикалық бағыттаушытоғы тура сондай сияқты қақпадағыбағыттаушы кернеумен, ал топтық сипаттамасында Iс(Uси) Uпи = const сондай түрінде, Iс(Uси)Uзи – const сыйпаттамасы болады. характеристика.
Өрістіктранзисторлардың негізгі шамалары: сипаттаманың тіктігі S,күшейту коэффициенті μ ішкі кедергі Ri.
Крутизнойхарактеристики полевого транзистораназывают отношение изменения тока стока к вызвавшему его изменению напряженияна затворе при.
Өрістіктранзистордың сипаттамасының тіктігі деп S шығыстоғының өзгеруінің оның өзгеруінеәкелген Uси = const болғандақақпадағы кедергісіне қатынасын айтады
S = (dIc/dUзи)|Uси= const
Өрістіктранзистордың күшейткіш коэффициенті μ деп S шығыс тоғыныңөзгеруінің оның өзгеруіне әкелген Iс= const болғандақақпадағы кедергісіне қатынасын айтады
μ = (dUси/dUзи)|Iс= const
Өрістіктранзистордың ішкі кедергісі Ri деп Sшығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген Uзи = const болғандақақпадағы кедергісіне қатынасын айтады
Ri =(dUси/dIс)|Uзи = const
Өрістіктранзистордың күшейткіш коэффициенті, сипаттамасының тіктігіжәне ішкі кедергісі өзара арақатынаспен біріктірілген
μ = S Ri
Температураөскенде тіктігі де, табалдырықты кедергісі де азаяды, оныңүстіне бұл шамалардың азаюы тоққа керібағыттарда әсер етеді. Тоқтың олар теңесетін Ic мәндері бар. Бұл тұрақты мәндіауыспалы тоқ деп атайды. Ауыспалы тоқтың бар болуы –МДЖ–транзисторлардың маңызды ерекшелігі; ол жеңіл жолмен –жұмыс тоқты алумен температуралық тұрақтандырумүмкіншілігін қамтамасыз етеді
Өрістіктранзисторлардың сипаттамаларының жұмыс аумағықазіргі заманғы өрістік транзисторлар үшін S =0,3...30 мА/В, ал Ri бірнеше мегаом құрайтын динамикалық теңдік аумағы болып табылады. Өрістіктранзисторлардың маңызды еркшеліктері олардың өтеүлкен кіру кедергілері (1015 Ом-ға дейін) жәнешекті жиілігі (1 ГГц-қа дейін) болып табылады.
Қосу сұлбалары. Статикалықсипаттамалары және шектері.
Электронды сұлбаларда қолдануерекшеліктері
Биполярлықтранзисторларға ұқсастығына қарайтұрақты потенциал нүктесіне қандай электродқосылғанына байланысты қосу сұлбаларын үшкебөледі: кірісті, шығысты және қақпалы.
Ортақ кіріспенсұлба
Ортақ кіріспенсұлба (сурет 5.5) биполярлы транзисторлар үшін ортақэмиттермен сұлбаға сай келеді.
Сурет 5.5 – Ортақ кіріспен өрістіктранзистордың қосылу сұлбасы
Айырмашылығыдиод қақпа-арна жабулышы бағытта қосылған болады.Бұл жағдайда кіріс тоқ нольге жақын, ал кіріс кедергісіөте үлкен болады. Сұлбаның анализі үшіналдыңғы бөлімде биполярлық транзисторлар үшіналынған нәтижелерге қайтып оралуға болады.Транзисторлардың сипаттамаларын және кіші сигналдардыңшамаларын салыстыру келесі сәйкестік кестесін береді:
IК » IС
IЭ » IИ
IБ » IЗ ≈ 0
Ортақ кіріспенсұлба үшін күшейткіш коэффициентінің максималды шамасы A= -S = -μ құрайды.
Күшейткішкоэффициенті 0,1IСИ < IС < IСИ аралықташығыс тоқтан тәуелсіз деуге болады және n-арналы өрістік транзисторлар үшін 100-ден 300-ге дейінқұрайды. p-арналы өрістік транзисторлар үшінбұл өлшем шамамен екі есе кіші. Сонымен, өрістіктранзисторлардың максималды күшейту коэффициенті биполярлытранзисторлардың максималды күшейту коэффициентінің шамаменоныншы бөлігін құрайды.
Сызықты емесқателіктердің коэффициенті, биполярлы транзисторларда сияқтыкіру амплитудасына пропорционалды, бірақ ол жұмыснүктесінің орналасуына тәуелді. Ол √IC шамағакері пропорционалды.
Бұлкоэффициент 1%-дан кіші болу үшін, кіру сигналдыңамплитудасының шамасы 66мВ-тан үлкен болмау керек. Каскадтыңкернеумен күшейткіш коэффициенті 20-ға тең болғанкезде, шығу сигналдың амплитудасы шамамен 1,3 В-ті құрайды.Бұл өлшем ұқсас қосу сұлбамен биполярлытранзисторлардан әлдеқайда үлкен .
Өрістікжәне биполярлық транзистордың шулықсипаттамасының айырмашылығы маңызды. Өрістіктранзисторда шулы тоқ биполярлыққа қарағанда біршама аз, онда шудың кернеуі сияқты бағыттаушы p-n-өткізгіштранзистор үшін маңызды, тәртіп мәні бір немесе сондайболады.
МЖЖ-транзистордашулық фактор I/f 100 кГц тәртіп жиілігініңбасталуынан байқалады. Сондай үлгімен МЖЖ-транзисторлар аз жиіліктіаумақта өрістік транзисторлар бағыттаушы p-n-өткізгіштен«шулауы» біршама күшті, сондықтан оны тек қанажоғарғы жиілікті аз шулайтын мақсаттағы құрылғыларды қолданылады.
Жалпықақпамен сұлбасы
Ереже бойыншаөрістік транзистордың жалпы қақпамен сұлбасыүшін тіпті ұқсамайды, осыдан осы қосылыстақақпа-кіру транзистордың тізбегініңқұрамына жоғарғы омдық қолданылмайды.
Жалпы шығыспенсұлбасы (кірулік қайталану).
Жалпы кіріспенсұлбасына қарағанда жалпы шығыстың сұлбасыбіршама жоғарғы кіру кедергіге ие болады. Көпшілікжағдайдың бірінде ол қаншалықты үлкен болса дажәне жалпы кіру сұлбасы үшін де бұл маңыздымән берілмейді. Бұндай сұлбаныңартықшылығы каскадтың кіру сыйымдылығын елеуліазайтудан тұрадады. Ерекшелігі эмиттерлік қайталанудан шығу кедергісі сигналкөзіндегі төменгі кедергіден қайталануы әсер етпейді.
Күшейткішкоэффициенттің және кіріс қайталағыштыңшығу кедергісінің типтік мәндерін сандық мысалмендәйектеуге болады. Транзистордың сипаттамасының 5 мА/Втіктігі және кіріс тізбегінің кедергісі RИ=1кОмкезінде
Бұл мысалданкіріс қайталағыш эмиттерлі қайталағыштағыдайсондай кіші шығыс кедергі шамаларын ала алмайтындығынкөреміз. Мұның себебі өрістік транзисторлардыңбиполярлық транзисторларға қарағанда тіктігініңаз болуы.
Сурет 5.6– Өрістіктранзистордың жалпы шығыспен қосылу сұлбасы
&&&
Өзін-өзітексеру сұрақтары
1.Өрістік транзистордың биполярлықтан айырмашылығықандай?
2. Өрістіктранзисторды қандай параметрлер сыйпаттайды?
3. МДЖжәне МЖЖ транзисторлардегеніміз не?
4. Өрістік транзистордыңбағыттаушы р-n-өткізгішпен негізгі жұмысықандай?
5. Өрістік транзистордыңқосылуының негізгі сұлбасы